Quality control and electrical properties of thin amorphous (SiC) 1-x(AlN)x films produced by radio frequency dual magnetron sputtering

G. Gálvez De La Puente, O. Erlenbach, J. A.Guerra Torres, T. Hupfer, M. Steidl, F. De Zela, R. Weingärtner, A. Winnacker

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congresoContribución a la conferenciarevisión exhaustiva

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Resumen

Amorphous pseudobinary (SiC)1-x(AlN)x thin films have been produced by radio frequency dual magnetron sputtering from bulk SiC and AlN targets. For each target the emission characteristic, i.e. the spatial variation of the deposition rate was determined, in order to predict thickness distribution and spatial composition variation for the (SiC)-(AlN) alloy. Impedance spectroscopy shows a high resistivity of the films in the SiC rich region, decreasing significantly towards the AlN rich region.

Idioma originalInglés
Título de la publicación alojadaSilicon Carbide and Related Materials 2009
Subtítulo de la publicación alojadaICSCRM 2009
EditorialTrans Tech Publications Ltd
Páginas1199-1202
Número de páginas4
ISBN (versión impresa)0878492798, 9780878492794
DOI
EstadoPublicada - 2010
Evento13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009, ICSCRM 2009 - Nurnberg, Alemania
Duración: 11 oct. 200916 oct. 2009

Serie de la publicación

NombreMaterials Science Forum
Volumen645-648
ISSN (versión impresa)0255-5476
ISSN (versión digital)1662-9752

Conferencia

Conferencia13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009, ICSCRM 2009
País/TerritorioAlemania
CiudadNurnberg
Período11/10/0916/10/09

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Quality control and electrical properties of thin amorphous (SiC) 1-x(AlN)x films produced by radio frequency dual magnetron sputtering'. En conjunto forman una huella única.

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