Determination of the optical bandgap of thin amorphous (SiC) 1-x(AlN)x films

J. A. Guerra, A. Winterstein, O. Erlenbach, G. Gálvez, F. De Zela, R. Weingärtner, A. Winnacker

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congresoContribución a la conferenciarevisión exhaustiva

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Resumen

Amorphous wide bandgap semiconductor thin films of the pseudobinary compound (SiC)1-x(AlN)x were grown by radio frequency dual magnetron sputtering on CaF2, MgO and glass substrates. We performed isochronical annealing steps up to 500°C. The optical bandgap is determined for each composition from spectroscopic transmission measurement in two different ways: according to Tauc and using the (ahv)2 plot. The dependence of the optical bandgap on the composition x can be described by Vegard's empirical law for alloys.

Idioma originalInglés
Título de la publicación alojadaSilicon Carbide and Related Materials 2009
Subtítulo de la publicación alojadaICSCRM 2009
EditorialTrans Tech Publications Ltd
Páginas263-266
Número de páginas4
ISBN (versión impresa)0878492798, 9780878492794
DOI
EstadoPublicada - 2010
Evento13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009, ICSCRM 2009 - Nurnberg, Alemania
Duración: 11 oct. 200916 oct. 2009

Serie de la publicación

NombreMaterials Science Forum
Volumen645-648
ISSN (versión impresa)0255-5476
ISSN (versión digital)1662-9752

Conferencia

Conferencia13th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2009, ICSCRM 2009
País/TerritorioAlemania
CiudadNurnberg
Período11/10/0916/10/09

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Determination of the optical bandgap of thin amorphous (SiC) 1-x(AlN)x films'. En conjunto forman una huella única.

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