Concentration quenching of tb3+ doped SiC:H and AlN thin films in photoluminescence and cathodoluminescence measurements

J. A. Guerra, F. Benz, L. Montañez, R. Grieseler, P. Schaaf, F. De Zela, A. Winnacker, H. P. Strunk, R. Weingärtner

Producción científica: Capítulo del libro/informe/acta de congresoContribución a la conferenciarevisión exhaustiva

Resumen

We present a systematic study of photo- and cathodoluminescence measurements in the visible of Terbium doped SiC:H and AlN thin films. The Terbium atomic concentrations vary from 0.9 to 10% for the SiC:H and from 0.8 to 6% for the AlN samples. For both materials the increase of the emission intensity with concentration and the subsequent quenching effect can be seen. The optimal concentration for the highest light emission is found. Photoluminescence excitation spectroscopy addresses the enhancement light emission mechanisms of the principal emission electronic transition of Terbium at ∼542 nm.

Idioma originalInglés
Título de la publicación alojadaLanthanide Nanomaterials for Imaging, Sensing and Optoelectronics
EditorialMaterials Research Society
Páginas1-6
Número de páginas6
ISBN (versión impresa)9781632661524
DOI
EstadoPublicada - 2013
Evento2013 MRS Spring Meeting - San Francisco, CA, Estados Unidos
Duración: 1 abr. 20135 abr. 2013

Serie de la publicación

NombreMaterials Research Society Symposium Proceedings
Volumen1571
ISSN (versión impresa)0272-9172

Conferencia

Conferencia2013 MRS Spring Meeting
País/TerritorioEstados Unidos
CiudadSan Francisco, CA
Período1/04/135/04/13

Huella

Profundice en los temas de investigación de 'Concentration quenching of tb3+ doped SiC:H and AlN thin films in photoluminescence and cathodoluminescence measurements'. En conjunto forman una huella única.

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